教員情報 - 赤坂　哲也

■ 研究室情報

1.	半導体物理研究室窒化物半導体や酸化物半導体等のワイドギャップ半導体の結晶成長および物性研究

■ 現在の専門分野

結晶工学, 半導体、光物性、原子物理　（キーワード：半導体物性、ワイドギャップ半導体、量子構造、結晶成長）

■ 著書・論文歴

1.	論文	Liquid Phase Epitaxy of GaN Films on Sapphire Substrates under an Atmospheric Pressure Nitrogen Ambience Japanese Journal of Applied Physics （共著） 2024/05
2.	論文	Landau level quantization with gate tuning in an AlN/GaN single heterostructure Japanese Journal of Applied Physics 57,pp.111001-111001 （共著） 2018/10
3.	論文	N-face (000-1) GaN/InN/GaN double heterostructures emitting near-infrared photoluminescence grown by metalorganic vapor phase epitaxy Applied Physics Express 11,pp.081001-081001 （共著） 2018/07
4.	論文	Surface supersaturation in flow-rate modulation epitaxy of GaN Journal of Crystal Growth 468,pp.821-826 （共著） 2017/06
5.	論文	Surface morphology control of nonpolar m-plane AlN homoepitaxial layers by flow-rate modulation epitaxy Physica Status Solidi (b) 254(2),pp.1600545-1600545 （共著） 2017/02
6.	論文	N-face GaN (000-1) films with hillock-free smooth surfaces grown by group-III-source flow-rate modulation epitaxy Japanese Journal of Applied Physics 55(4S),pp.04EJ01-04EJ01 （共著） 2016/04
7.	論文	N-face GaN (000-1) films grown by group-III-source flow-rate modulation epitaxy Japanese Journal of Applied Physics 53(11S),pp.11RC01-11RC01 （共著） 2014/11
8.	論文	Suppression of self-heating effect in AlGaN/GaN high electron mobility transistors by substrate-transfer technology using h-BN Applied Physics Letters 105(19),pp.193509-193509 （共著） 2014/11
9.	論文	Nucleus and spiral growth mechanism of nitride semiconductors in metalorganic vapor phase epitaxy Japanese Journal of Applied Physics 53(10),pp.100201-100201 （共著） 2014/10
10.	論文	Carrier Gas Dependent Evaporation Energy of GaN Estimated from Spiral Growth Rates in Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Applied Physics Express 6(10),pp.105501-105501 （共著） 2013/10
11.	論文	Nucleus and Spiral Growth of N-face GaN (000-1) Obtained by Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Applied Physics Express 6(3),pp.035503-035503 （共著） 2013/03
12.	論文	Extremely Narrow Violet Photoluminescence Line from Ultrathin InN Single Quantum Well on Step-Free GaN Surface Advanced Materials 24(31),pp.4296-4300 （共著） 2012/08
13.	論文	A Vertical InGaN/GaN Light-Emitting Diode Fabricated on a Flexible Substrate by a Mechanical Transfer Method Using BN Applied Physics Express 5(7),pp.072102-072102 （共著） 2012/07
14.	論文	Layered boron nitride as a release layer for mechanical transfer of GaN-based devices Nature 484(7393),pp.223-227 （共著） 2012/04
15.	論文	表面過飽和度制御によるGaNステップフリー面の形成日本結晶成長学会論文誌 38(4),221-226頁（共著） 2012/01
16.	論文	Supersaturation in nucleus and spiral growth of GaN in metal organic vapor phase epitaxy Applied Physics Letters 97(14),pp.141902-141902 （共著） 2010/10
17.	論文	Nucleus and spiral growth mechanisms of GaN studied by using selective-area metalorganic vapor phase epitaxy Applied Physics Express 3(7),pp.075602-075602 （共著） 2010/07
18.	論文	Optical bandgap of h-BN epitaxial film grown on c-plane sapphire substrate Physica Status Solidi (c) 7(7-8),pp.1906-1908 （共著） 2010/06
19.	論文	六方晶窒化ホウ素のエピタキシャル成長とその紫外発光特性表面科学 31(2),99-105頁（共著） 2010/02
20.	論文	Step-free GaN hexagons grown by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy Applied Physics Express 2(9),pp.191002-191002 （共著） 2009/09
21.	論文	Molecular beam epitaxial growth of hexagonal boron nitride on Ni (111) substrate Journal of Crystal Growth 311(10),pp.3054-3057 （共著） 2009/05
22.	論文	Hexagonal BN epitaxial growth on (0001) sapphire substrate by MOVPE Journal of Crystal Growth 310(23),pp.5044-5047 （共著） 2008/11
23.	論文	Hexagonal boron nitride grown by MOVPE Journal of Crystal Growth 310(23),pp.5048-5052 （共著） 2008/11
24.	論文	Anisotropic in-plane strains in nonpolar AlN and AlGaN (11-20) films grown on SiC (11-20) substrates Applied Physics Letters 93(16),pp.161908-161908 （共著） 2008/10
25.	論文	Evidence of quantum dot-like nano-objects in InGaN quantum wells provided by narrow photoluminescence spectra from localized excitons Physica Status Solidi (c) 4(7),pp.2350-2353 （共著） 2007/07
26.	論文	Nonpolar AlBN (11-20) and (1-100) films grown on SiC substrates Applied Physics Letters 91(4),pp.041914-041914 （共著） 2007/07
27.	論文	Ultraviolet luminescence from hexagonal boron nitride epitaxial layers on Ni (111) grown by flow-rate modulation epitaxy Physica Status Solidi (b) 244(6),pp.1789-1792 （共著） 2007/06
28.	論文	深紫外光源のための窒化物半導体の開発応用物理 76(5),509-512頁（共著） 2007/05
29.	論文	BGaN micro-islands as novel buffers for growth of high-quality GaN on sapphire Journal of Crystal Growth 298,pp.320-324 （共著） 2007/04
30.	論文	Boron Nitride Thin Films on Graphitized 6H-SiC Substrates Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Japanese Journal of Applied Physics 46(4B),pp.2554-2557 （共著） 2007/04
31.	論文	Growth of nonpolar AlN (11-20) and (11-200) films on SiC substrates by flow-rate modulation epitaxy Applied Physics Letters 90(12),pp.121919-121919 （共著） 2007/03
32.	論文	選択成長マイクロファセットを用いたGaN系面発光型レーザーレーザー研究 35(2),79-85頁（共著） 2007/02
33.	論文	Hexagonal boron nitride on Ni (111) substrate grown by flow-rate modulation epitaxy Journal of Crystal Growth 298,pp.325-327 （共著） 2007/01
34.	論文	Low resistance graded AlGaN buffer layers for vertical conducting devices on n-SiC substrate Journal of Crystal Growth 298,pp.819-821 （共著） 2007/01
35.	論文	Effects of nonradiative centers on localized excitons in InGaN quantum well structures Applied Physics Letters 89(22),pp.222110-222110 （共著） 2006/11
36.	論文	Critical electric fields of AlGaN in AlGaN-based vertical conducting diodes on n-SiC substrates Superlattice and Microstructures 40(4-6),pp.332-337 （共著） 2006/10
37.	論文	InGaN Quantum wells with small fluctuation grown on InGaN underlying layers Applied Physics Letters 89(10),pp.101110-101110 （共著） 2006/09
38.	論文	Detecting spatially localized excitons in InGaN quantum well structures with a micro-photoluminescence technique Solid State Communications 138(12),pp.590-593 （共著） 2006/06
39.	論文	High critical electric field of AlxGa1-xN p-i-n vertical conducting diodes on n-SiC substrates Applied Physics Letters 88(17),pp.173508-173508 （共著） 2006/04
40.	論文	p-InGaN/n-GaN vertical conducting diodes on n+-SiC substrate for high power electronic device application Japanese Journal of Applied Physics Part1 45(4B),pp.3387-3390 （共著） 2006/04
41.	論文	微小光共振器による励起子―光子相互作用状態制御 NTT技術ジャーナル 18,28-32頁（共著） 2006/02
42.	論文	Flow-rate modulation epitaxy of wurtzite AlBN Applied Physics Letters 88(4),pp.041902-041902 （共著） 2006/01
43.	論文	Current-voltage characteristics of p-InGaN/n-GaN vertical conducting diodes on n+-SiC substrates Applied Physics Letters 87(23),pp.233505-233505 （共著） 2005/12
44.	論文	BGaN micro-islands as novel buffers for GaN hetero-epitaxy Japanese Journal of Applied Physics Part2 44(50-52),pp.L1506-L1508 （共著） 2005/11
45.	論文	Efficient observation of narrow isolated photoluminescence spectra from spatially localized excitons in InGaN quantum wells Japanese Journal of Applied Physics Part2 44(42-45),pp.L1381-L1384 （共著） 2005/10
46.	論文	Blue-purplish InGaN quantum wells with shallow depth of exciton localization Applied Physics Letters 86(19),pp.191902-191902 （共著） 2005/05
47.	論文	Observation of cavity polaritons in InGaN quantum well microcavities Physica Status Solidi (c) 2,pp.809-812 （共著） 2005/02
48.	論文	High luminescent efficiency of InGaN multiple quantum wells grown on InGaN underlying layers Applied Physics Letters 85(15),pp.3089-3091 （共著） 2004/10
49.	論文	Cavity polaritons in InGaN microcavities at room temperatures Physical Review Letters 92(25),pp.2565402-2565402 （共著） 2004/06
50.	論文	An InGaN-based horizontal-cavity surface-emitting laser diode Applied Physics Letters 84(20),pp.4104-4106 （共著） 2004/05
51.	論文	Reduction of threading dislocations in crack-free AlGaN by using multiple thin Si_xAl_1-xN interlayers Applied Physics Letters 83(20),pp.4140-4142 （共著） 2003/11
52.	論文	Low threshold lasing of InGaN vertical-cavity surface-emitting lasers with dielectric distributed Bragg reflectors Applied Physics Letters 83(5),pp.830-832 （共著） 2003/08
53.	論文	Highly reflective distributed Bragg reflectors using a deeply etched semiconductor/air grating for InGaN/GaN laser diodes Applied Physics Letters 82(25),pp.4426-4428 （共著） 2003/06
54.	論文	Current-confining structure of InGaN hexagonal microfacet lasers by selective incorporation of Mg during selective-area MOVPE Journal of Crystal Growth 248,pp.537-541 （共著） 2003/02
55.	論文	Fabrication of an InGaN multiple-quantum-well laser diode featuring high reflectivity semiconductor/air distributed Bragg reflectors Applied Physics Letters 81(25),pp.4703-4705 （共著） 2002/12
56.	論文	Room-temperature lasing of InGaN multiquantum-well hexagonal microfacet lasers by current injection Applied Physics Letters 79(10),pp.1414-1416 （共著） 2001/09
57.	論文	Selective area metalorganic vapor phase epitaxy of thick crack-free GaN films on trenched SiC substrate Applied Physics Letters 79(9),pp.1261-1263 （共著） 2001/08
58.	論文	Electroluminescence from p-GaN/n-InGaN MQW hexagonal microprism fabricated by selective area MOVPE The Institute of Pure and Applied Physics (IPAP) Conf. Series 1,pp.864-867 （共著） 2000/11
59.	論文	In-situ monitoring of GaN MOVPE by shallow-angle reflectance using ultraviolet light Journal of Crystal Growth 195,pp.187-191 （共著） 1998/12
60.	論文	Step-flow MOVPE of GaN on SiC substrates Journal of Crystal Growth 195,pp.41-47 （共著） 1998/12
61.	論文	Step-free surface and interface by finite area metalorganic vapor phase epitaxy Journal of Crystal Growth 195,pp.459-465 （共著） 1998/12
62.	論文	窒化物半導体の選択成長とファセットレーザへの応用応用電子物性分科会誌 4,204-209頁（共著） 1998/11
63.	論文	Thermal stability of low-temperature GaN and AlN buffer layers during metalorganic vapor phase epitaxy monitored by in situ shallow-angle reflectance using ultraviolet light Japanese Journal of Applied Physics Part2 37(10B),pp.L1208-L1210 （共著） 1998/10
64.	論文	窒化物半導体のファセット成長 NTT R&D 47(9),967-972頁（共著） 1998/09
65.	論文	Growth shape control of group-III nitrides by selective-area MOVPE Proceedings of the SPIE - The International Society for Optical Engineering 3419,pp.2-6 （共著） 1998/07
66.	論文	Surface flattening of GaN by selective area metalorganic vapor phase epitaxy Japanese Journal of Applied Physics Part2 37(7B),pp.L842-L844 （共著） 1998/07
67.	論文	Selective MOVPE of GaN and AlxGa1-xN with smooth vertical facets Journal of Crystal Growth 189/190,pp.72-77 （共著） 1998/06
68.	論文	GaN hexagonal microprisms with smooth vertical facets fabricated by selective metalorganic vapor phase epitaxy Applied Physics Letters 71(15),pp.2196-2198 （共著） 1997/10
69.	論文	Growth of polycrystalline silicon thin films on glass Thin Solid Films 296(1-2),pp.2-6 （共著） 1997/03
70.	論文	Fabrication of polycrystalline silicon on glass from fluorinated precursors with the aid of atomic hydrogen Material Research Society symposium proceedings 403,pp.391-396 （共著） 1996/09
71.	論文	Fabrication of high-quality poly-Si thin films combined with in situ real-time spectroscopic ellipsometry Journal of Non-Crystalline Solids 198-200,pp.883-886 （共著） 1996/05
72.	論文	多結晶シリコンの低温成長過程の分光エリプソメトリによるその場観察（単著） 1996/03
73.	論文	In-situ Real-time Studies of the Formation of Polycrystalline Silicon Films on Glass Grown by a Layer-by-layer Technique Applied Physics Letters 66(25),pp.3441-3443 （共著） 1995/05
74.	論文	Control of grain size and texture of poly-Si with atomic hydrogen under in situ ellipsometric observation Material Research Society symposium proceedings 358,pp.871-876 （共著） 1995/04
75.	論文	Fabrication of high quality polysilicon thin films on glass and its in situ real-time monitoring by spectroscopic ellipsometry 1994 IEEE First World Conference on Photovoltaic Energy Conversion 2,pp.1402-1405 （共著） 1994/12
76.	論文	Si epitaxy below 400 ^oC from fluorinated precursors SiFnHm (n+m≤3) under in situ observation with ellipsometry Japanese Journal of Applied Physics Part 1 33(2),pp.956-961 （共著） 1994/02
77.	論文	In Situ Ellipsometric Observations of the Growth of Silicon Thin Films from Fluorinated Precursors, SiFnHm (n+m≤3) Japanese Journal of Applied Physics Part1 32(6A),pp.2607-2612 （共著） 1993/06
78.	論文	Fabrication of high quality Poly-Si from fluorinated precursors Material Research Society symposium proceedings 297,pp.79-89 （共著） 1993/04
79.	論文	Highly textured microcrystalline-Si thin film fabricated by Layer-by-layer technique Material Research Society symposium proceedings 283,pp.489-494 （共著） 1993/04
80.	論文	In situ ellipsometric observation of the growth of crystalline silicon from fluorinated precursors Material Research Society symposium proceedings 297,pp.19-24 （共著） 1993/04
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■ 講師・講演

1.	1998/07	Growth shape control of group-III nitrides by selective area MOVPE
2.	1998/09/07	Surface Stoichiometry and evolution of crystal facet during selective area MOVPE（Hiroshima, Japan）
3.	1998/11/17	窒化物半導体の選択成長とファセットレーザへの応用（東京）
4.	2002/03/11	AlGaN UV-LEDs with high efficiency and InGaN LDs using grown facet mirrors（Cordoba, Spain）
5.	2008/06/01	Boron Nitride grown by MOVPE（Metz, France）
6.	2009/09/04	Optical band gap of hexagonal BN epitaxial film grown on c-plane sapphire substrate（Gyeonju, Korea）
7.	2010/07/06	Step-free GaN hexagons grown by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy
8.	2011/06/18	表面過飽和度制御によるGaN ステップフリー面の形成（福岡県春日市）
9.	2012/10/17	Extremely narrow violet photoluminescence line from ultrathin InN single quantum well on step-free GaN surface（Sapporo, Japan）
10.	2012/10/18	Layered boron nitride as a release layer for mechanical transfer of GaN-based devices（Sapporo, Japan）
11.	2012/10/23	Study of nucleus and spiral growth mechanisms of GaN using selective-area MOVPE on GaN bulk substrate（Sendai, Japan）
12.	2012/10/26	層状窒化ホウ素を用いたGaN系デバイスの剥離転写技術（東京）
13.	2013/03/01	層状窒化ホウ素を剥離層とするGaN系デバイスの機械的転写法の開発（東京）
14.	2013/03/08	層状窒化ホウ素を剥離層とするGaN系デバイスの機械的転写法の開発（京都）
15.	2013/06/07	層状窒化ホウ素を剥離層とするGaN系デバイスの機械的転写法の開発（京都）
16.	2013/06/17	Layered Boron Nitride as a Release Layer for Mechanical Transfer of GaN-based Devices（Kanazawa, Japan）
17.	2013/12/11	Mechanically Transferred GaN-based Optical and Electronic Devices - A method for Lifting Thin-Film Devices from Substrates using Hexagonal BN -（Maryland, USA）
18.	2014/05	極薄層状BN剥離層を用いたGaN系デバイスの転写技術（東京）
19.	2014/06/08	Layered boron nitride as a release layer for mechanical transfer of GaN-based devices（Honolulu, USA）
20.	2014/07/16	GaN on h-BN technology for release and transfer of nitride devices（Tokyo, Japan）
21.	2014/10/30	Epitaxial lift off of GaN heterostructure by BN insertion（Sendai, Japan）
22.	2014/12/01	Application of BN for GaN devices（San Francisco, USA）
23.	2016/05/10	GaNのMOVPE成長と表面過飽和度（京都）
24.	2017/07/25	MOVPE growth of wurtzite BN-related alloys（Strasbourg, France）
25.	2018/11/16	N-face (000-1) GaN/InN/GaN double-heterostructures emitting near-IR photoluminescence grown by metalorganic vapor phase epitaxy（Kanazawa, Japan）
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■ 受賞学術賞

1.

2014/03

ISPlasma 2014 / IC-PLANTS 2014 Best Presentation Award (Oral)

■ 社会における活動

1.	2014/04～2014/12	オープンラボ実行委員
2.	2015/02～2015/02	特別講演
3.	2016/01～2016/01	特別講演

■ 学会発表

1.	2013/09/19	III族原料流量変調エピタキシーによるN-face GaN(000-1)成長（第74回応用物理学会秋季学術講演会）
2.	2013/09/19	III族原料間欠導入による１～２分子層InN単一量子井戸のMOVPE選択成長（第74回　応用物理学会秋季学術講演会）
3.	2014/03/18	III族原料流量変調エピタキシーによるN-face GaN(000-1)選択成長（第61回応用物理学会春季学術講演会）
4.	2014/03/19	層状BN剥離層を用いたAlGaN/GaN HEMTの銅板への転写（第74回　応用物理学会秋季学術講演会）
5.	2014/09/10	Selective Area Growth of N-face GaN (000-1) Films by Group-III-Source Flow-Rate Modulation Epitaxy（2014 International Conference on Solid State Devices and Materials）
6.	2014/09/19	III 族原料流量変調エピタキシによるヒルロックフリー窒素極性GaN(000-1)薄膜の成長（第75回応用物理学会秋季学術講演会）
7.	2015/03/14	III 族原料流量変調エピタキシによる窒素極性GaN(000-1)薄膜成長機構（第62回応用物理学会春季学術講演会）
8.	2015/11/10	Growth mechanism of N-face GaN (000-1) films in group-III-source flow-rate modulation epitaxy（6th International Symposium on Growth of III-nitrides）
9.	2016/03/20	C-AFMによるスパイラル成長したGaNの極微領域評価（第63回応用物理学会春季学術講演会）
10.	2016/03/22	MOVPE 法による窒素極性(000-1)面InN/GaN ダブルヘテロ構造の作製（第63回応用物理学会春季学術講演会）
11.	2016/03/22	無極性m面AlN基板上へのAlNの流量変調エピタキシ（第63回応用物理学会春季学術講演会）
12.	2016/08/08	Surface supersaturation in flow-rate modulation epitaxy of GaN（18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy）
13.	2016/09/05	Fabrication and Optical Properties of ZnO-nanowire-induced nanocavities in grooved SiN photonic crystals（第77回応用物理学会秋季学術講演会）
14.	2016/09/16	窒素極性InN(000-1)薄膜結晶性のMOVPE成長温度依存性（第77回応用物理学会秋季学術講演会）
15.	2016/10/03	N-Face InN/GaN (000-1) Double Heterostructures Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy（International Workshop on Nitride Semiconductors）
16.	2016/10/04	Atomic Level C-AFM Characterization of GaN Grown Under Spiral Mode（International Workshop on Nitride Semiconductors）
17.	2016/11/30	Realization of ZnO-Nanowire-Induced Nanocavities in Grooved SiN Photonic Crystals（The 2016 MRS Fall Meeting & Exhibit）
18.	2017/09/08	窒素極性InN(000-1)ダブルヘテロ構造のMOVPE成長（第78回応用物理学会秋季学術講演会）
19.	2018/06/05	One-or two-monolayer-thick InN single quantum wells fabricated on step-free GaN surfaces by MOVPE（19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy）
20.	2018/09/21	AlN/GaN単一ヘテロ接合の量子ホール効果とゲート制御（第79回応用物理学会秋季学術講演会）
21.	2020/09/10	電気化学堆積法による PETフィルム基板上の酸化亜鉛薄膜の作製（第81回応用物理学会秋季学術講演会）
22.	2021/09/12	常圧液相成長法により作製したGaN薄膜結晶性の成長条件依存性（第82回応用物理学会秋季学術講演会）
23.	2022/08/25	Liquid Phase Epitaxy of GaN Films under an Atmospheric Pressure Nitrogen Ambience（The 15th Asia Pacific Physics Conference (APPC 15)）
24.	2023/11/13	Liquid Phase Epitaxy of GaN Films on Sapphire Substrates under an Atmospheric Pressure Nitrogen Ambience（The 14th International Conference on Nitride Semiconductors）
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■ 研究課題・受託研究・科研費

1.	2006/04～2010/03	六方晶BN窒化物半導体に関する研究基盤研究（A) （キーワード：半導体、結晶成長、半導体物性、光物性、エピタキシャル成長）
2.	2010/04～2013/03	窒化物半導体ステップフリーヘテロ構造の研究基盤研究（B) （キーワード：エピタキシャル成長、半導体物性、量子井戸、結晶成長、窒化物半導体、ステップフリー、無転位、光物性、表面・界面物性、超格子）
3.	2014/04～2017/03	InGaNの非混和性を積極的に利用したDERI法による転位の不活性化挑戦的萌芽研究（キーワード：InN 、InGaN、窒化物半導体、混晶組成、極微領域評価、MBE、転位、リーク電流、不活性化）
4.	2016/04～2019/03	窒化物半導体ステップフリー面を利用した新規分子層エピタキシ基盤研究（B) （キーワード：エピタキシャル成長、半導体物性、量子井戸、窒化物半導体）
5.	2019/04～	ワイドギャップ半導体の量子構造・物性の研究個人研究
6.	2022/04～2025/03	窒化物半導体常圧液相成長の研究基盤研究(C)（一般）
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■ 学歴

1.	1986/04～1991/03	東京工業大学工学部化学工学科卒業工学士
2.	1991/04～1993/03	東京工業大学総合理工学研究科電子化学専攻修士課程修了修士（工学）
3.	1993/04～1996/03	東京工業大学総合理工学研究科電子化学専攻博士課程修了博士（工学）

■ 職歴

1.	1996/04～2019/03	日本電信電話（株） NTT物性科学基礎研究所主任研究員
2.	2017/04～2019/03	拓殖大学工学部非常勤講師
3.	2019/04～	明星大学理工学部教授
4.	2023/04～	明星大学理工学部総合理工学科教授

■ 教育上の能力

●教育方法の実践例
1.	2019/04～	マルチメディア機器を活用した授業方法
●作成した教科書、教材
1.	2019/04～	講義用スライドの作成
●実務の経験を有する者についての特記事項
1.	2016/01～2016/08	海外インターンシップ実習生の指導
2.	2011/10～2012/04	海外インターンシップ実習生の指導

■ 授業科目

1.	【院】固体分子物性特論Ａ
2.	【院】固体分子物性特論Ｂ
3.	ゼミナール
4.	ゼミナール１
5.	ゼミナール２
6.	プロジェクト５
7.	卒業研究
8.	物性物理学１
9.	物性物理学２
10.	物理学実験１
11.	物理学実験２
12.	物質科学実習
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■ 所属学会

1.	1991/11～	応用物理学会
2.	2017/04～	日本結晶成長学会

■ 委員会・協会等

1.	2004/04～2006/03	電子材料シンポジウム会計委員
2.	2011/10～2012/04	日加コーオプ・プログラム研修担当
3.	2016/01～2016/08	ヴルカヌス・イン・ジャパン研修担当
4.	2016/12～2017/11	日本学術振興会科学研究費委員会専門委員

■ 資格・免許

1.

2003/08

エックス線作業主任者免許取得

■ 取得特許

1.	2005/07/19	Thin film deposition method of nitride semiconductor and nitride semiconductor light emitting device（US6,920,166 B2）
2.	2011/06/17	半導体積層構造及びその製造方法（特許第4764260号）
3.	2011/11/11	窒化ホウ素の単結晶薄膜構造およびその製造方法（特許第4860665号）
4.	2011/12/16	窒化物半導体の製造方法（特許第4884157号）
5.	2012/02/03	六方晶窒化ホウ素構造および製造方法（特許第4916486号）
6.	2012/09/28	窒化物半導体構造（特許第5095653号）
7.	2013/07/12	窒化物半導体薄膜およびその成長方法（特許第5313976号）
8.	2013/08/16	窒化物半導体薄膜の成長方法および窒化物半導体規則混晶（特許第5340984号）
9.	2013/08/23	ダイヤモンド薄膜及びその製造方法（特許第5346052号）
10.	2014/01/10	窒化物半導体構造（特許第5451796号）
11.	2014/01/17	窒化物半導体薄膜の成長方法（特許第5458037号）
12.	2014/03/14	六方晶窒化ホウ素構造（特許第5498315号）
13.	2015/12/22	Nitride Semiconductor structure and method of preparing the same（US9,219,111 B2）
14.	2016/05/13	窒化物半導体装置の製造方法（特許第5931803号）
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■ 担当経験のある科目

1.	ゼミナール１（明星大学）
2.	ゼミナール２（明星大学）
3.	プロジェクトIII（明星大学）
4.	プロジェクトIV（明星大学）
5.	プロジェクト１（明星大学）
6.	プロジェクト５（明星大学）
7.	プロジェクト６（明星大学）
8.	修士論文（明星大学大学院）
9.	卒業研究（明星大学）
10.	固体分子物性演習・実験A（明星大学大学院）
11.	固体分子物性演習・実験B（明星大学大学院）
12.	固体分子物性演習・実験C（明星大学大学院）
13.	固体分子物性演習・実験D（明星大学大学院）
14.	固体分子物性特論A（明星大学大学院）
15.	固体分子物性特論B（明星大学大学院）
16.	物性物理学１（明星大学）
17.	物性物理学２（明星大学）
18.	物理学実験１（明星大学）
19.	物理学研究１（明星大学大学院）
20.	物理学研究２（明星大学大学院）
21.	物理学研究３（明星大学大学院）
22.	物理学研究４（明星大学大学院）
23.	物理演習（明星大学）
24.	理工実験実習１（明星大学）
25.	理工実験実習２（明星大学）
26.	電子材料・物性（拓殖大学）
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■ プロフィール

ワイドギャップ半導体である窒化物半導体や酸化物半導体の簡便で安価な結晶成長手法の実現を検討しています。また、ワイドギャップ半導体を用いた太陽電池の作製と特性評価も行っています。さらに、酸化物半導体の量子構造（ナノピラー・ナノリボン等）やその量子物性の実現も目指しています。