アカサカ　テツヤ   赤坂　哲也    所属   理工学部 総合理工学科    職種   教授
言語種別	日本語
発行・発表の年月	1998/11
形態種別	学術雑誌
招待論文	招待あり
標題	窒化物半導体の選択成長とファセットレーザへの応用
執筆形態	共著
掲載誌名	応用電子物性分科会誌
掲載区分	国内
出版社・発行元	応用物理学会
巻・号・頁	4,204-209頁
総ページ数	6
担当区分	筆頭著者,責任著者
著者・共著者	◎赤坂哲也，安藤精後，小林康之，熊谷雅美，小林直樹
概要	有機金属気相エピタキシ選択成長により、平坦で基板に対して完全に垂直なな結晶ファセットを有する窒化物半導体の微小な六角柱構造をダメージフリーで形成した。六角柱構造の形成には成長中の窒素の表面被覆率の制御が重要である。窒化ガリウムの微小六角柱構造は光励起により側面ファセットをレーザミラーとしてレーザ発振した。レーザ発振の縦モード間隔から、レーザキャビティは内接六角形リングモードであることを確認した。