アカサカ　テツヤ   赤坂　哲也    所属   理工学部 総合理工学科    職種   教授
言語種別	日本語
発行・発表の年月	2007/05
形態種別	学術雑誌
招待論文	招待あり
標題	深紫外光源のための窒化物半導体の開発
執筆形態	共著
掲載誌名	応用物理
掲載区分	国内
出版社・発行元	応用物理学会
巻・号・頁	76(5),509-512頁
総ページ数	4
担当区分	最終著者
著者・共著者	牧本俊樹，谷保芳孝，嘉数誠，小林康之，赤坂哲也
概要	窒化アルミニウム（AlN）および窒化ホウ素（BN）は、6 eV程度の大きなバンドギャップエネルギーを持ち、かつ、発光デバイスに有利な直接遷移型半導体である。我々は、AlNを用いることにより半導体では最も短い波長（210nm）で発光する発光ダイオードの作製に成功している。一方、BNに関して、量子井戸構造の作製が可能な六方晶h-BN単結晶薄膜のヘテロエピタキシャル成長に初めて成功し、BNを用いた深紫外光LEDの作製に近づいた。