アカサカ　テツヤ   赤坂　哲也    所属   理工学部 総合理工学科    職種   教授
言語種別	日本語
発行・発表の年月	2012/01
形態種別	学術雑誌
招待論文	招待あり
標題	表面過飽和度制御によるGaNステップフリー面の形成
執筆形態	共著
掲載誌名	日本結晶成長学会論文誌
掲載区分	国内
出版社・発行元	日本結晶成長学会
巻・号・頁	38(4),221-226頁
総ページ数	6
担当区分	筆頭著者,責任著者
著者・共著者	◎赤坂哲也，小林康之，嘉数誠
概要	有機金属気相エピタキシ装置を用いた選択成長法により、１分子層の段差も存在しない完全平坦表面を有するGaNステップフリー面を形成した。GaNステップフリー面の大きさは最大で５０ミクロンであった。また、原子間力顕微鏡で成長スパイラルのステップ間隔を測定し、成長中の表面過飽和度を推定した。その結果、多核成長と螺旋成長の成長速度の表面過飽和度依存性が結晶成長の基礎理論（BCF理論）とよく一致することを見出した。