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アカサカ テツヤ
赤坂 哲也 所属 理工学部 総合理工学科 職種 教授 |
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| 言語種別 | 英語 |
| 発行・発表の年月 | 1998/12 |
| 形態種別 | 学術雑誌 |
| 査読 | 査読あり |
| 標題 | Step-flow MOVPE of GaN on SiC substrates |
| 執筆形態 | 共著 |
| 掲載誌名 | Journal of Crystal Growth |
| 掲載区分 | 国外 |
| 出版社・発行元 | Elsevier |
| 巻・号・頁 | 195,pp.41-47 |
| 総ページ数 | 7 |
| 著者・共著者 | T. Nishida, N. Maeda, T. Akasaka, and N. Kobayashi |