アカサカ テツヤ
赤坂 哲也 所属 理工学部 総合理工学科 職種 教授 |
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言語種別 | 英語 |
発行・発表の年月 | 2001/08 |
形態種別 | 学術雑誌 |
査読 | 査読あり |
標題 | Selective area metalorganic vapor phase epitaxy of thick crack-free GaN films on trenched SiC substrate |
執筆形態 | 共著 |
掲載誌名 | Applied Physics Letters |
掲載区分 | 国外 |
出版社・発行元 | AIP Publishing LLC |
巻・号・頁 | 79(9),pp.1261-1263 |
総ページ数 | 3 |
著者・共著者 | ◎T. Akasaka, S. Ando, T. Nishida, H. Saito, and N. Kobayashi |
概要 | サファイアやSiC基板上に、窒化物半導体薄膜を成長すると、基板と薄膜との間の格子定数と熱膨張係数の差のため、クラックが発生しやすい問題があった。特に、SiC基板上では、概ね膜厚が2ミクロン以上でクラックが発生し、レーザー等のデバイス設計上の制約要因となっている。本研究では、ミクロンサイズの段差を加工したSiC基板を用いることにより、10ミクロン以上の膜厚のクラックフリーなGaNを選択成長することに成功した。 |