アカサカ テツヤ
赤坂 哲也 所属 理工学部 総合理工学科 職種 教授 |
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言語種別 | 英語 |
発行・発表の年月 | 2001/09 |
形態種別 | 学術雑誌 |
査読 | 査読あり |
標題 | Room-temperature lasing of InGaN multiquantum-well hexagonal microfacet lasers by current injection |
執筆形態 | 共著 |
掲載誌名 | Applied Physics Letters |
掲載区分 | 国外 |
出版社・発行元 | AIP Publishing LLC |
巻・号・頁 | 79(10),pp.1414-1416 |
総ページ数 | 3 |
著者・共著者 | ◎T. Akasaka, S. Ando, T. Nishida, H. Saito, and N. Kobayashi |
概要 | SiC基板上に作製した窒化物半導体六角柱ファセットレーザの室温での電流注入パルス発振に成功した。従来は、クラッド層であるAlGaNの選択成長が困難であるため、レーザ発振にいたらなかった。本発表では、段差を設けたSiC基板を用いることにより、この問題をクリアした。キャビティ長によらず、発振閾値が一定であり、レーザ光がマイクロファセットミラーにより全反射されていることが分かった。 |