アカサカ テツヤ
赤坂 哲也 所属 理工学部 総合理工学科 職種 教授 |
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言語種別 | 英語 |
発行・発表の年月 | 2002/12 |
形態種別 | 学術雑誌 |
査読 | 査読あり |
標題 | Fabrication of an InGaN multiple-quantum-well laser diode featuring high reflectivity semiconductor/air distributed Bragg reflectors |
執筆形態 | 共著 |
掲載誌名 | Applied Physics Letters |
掲載区分 | 国外 |
出版社・発行元 | AIP Publishing LLC |
巻・号・頁 | 81(25),pp.4703-4705 |
総ページ数 | 3 |
著者・共著者 | ◎H. Wang, M. Kumagai, T. Tawara, T. Nishida, T. Akasaka, N. Kobayashi, and T. Saitoh |
概要 | 有機金属気相エピタキシ法により炭化珪素基板上にInGaN系青色レーザ多層薄膜構造を結晶成長した後、ドライエッチング装置を用いて半導体/空気周期構造からなる分布ブラッグ反射型(DBR)ミラーを形成した。本DBRミラーの青色領域における反射率は44~62%であり、シンプルな半導体ミラーよりも高かった。また、光励起によるレーザ発振閾値もDBRミラーを形成することにより低下することを実験的に確認した。 |