アカサカ テツヤ
赤坂 哲也 所属 理工学部 総合理工学科 職種 教授 |
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言語種別 | 英語 |
発行・発表の年月 | 2006/04 |
形態種別 | 学術雑誌 |
査読 | 査読あり |
標題 | p-InGaN/n-GaN vertical conducting diodes on n+-SiC substrate for high power electronic device application |
執筆形態 | 共著 |
掲載誌名 | Japanese Journal of Applied Physics Part1 |
掲載区分 | 国内 |
出版社・発行元 | The Japan Society of Applied Physics |
巻・号・頁 | 45(4B),pp.3387-3390 |
総ページ数 | 4 |
著者・共著者 | A. Nishikawa, K. Kumakura, T. Akasaka, and T. Makimoto |