アカサカ　テツヤ   赤坂　哲也    所属   理工学部 総合理工学科    職種   教授
言語種別	日本語
発行・発表の年月	1998/09
形態種別	学術雑誌
招待論文	招待あり
標題	窒化物半導体のファセット成長
執筆形態	共著
掲載誌名	NTT R&D
掲載区分	国内
出版社・発行元	電気通信協会
巻・号・頁	47(9),967-972頁
総ページ数	6
担当区分	筆頭著者,責任著者
著者・共著者	◎赤坂哲也，安藤精後，小林康之，熊谷雅美，小林直樹
概要	有機金属気相エピタキシ選択成長により、平坦で基板に対して完全に垂直なファセットを有する窒化ガリウム(GaN)の微小な六角柱構造をダメージフリーで形成した。作製したGaN微小六角柱は、光励起により垂直ファセットをレーザミラーとして、内接六角形リングモードで室温レーザ発振した。本研究によるレーザミラーは、極めて平坦、基板に対して完全に垂直、および、ダメージフリーであるという優れた特徴を有する。