アカサカ　テツヤ   赤坂　哲也    所属   理工学部 総合理工学科    職種   教授
言語種別	英語
発行・発表の年月	2001/08
形態種別	学術雑誌
査読	査読あり
標題	Selective area metalorganic vapor phase epitaxy of thick crack-free GaN films on trenched SiC substrate
執筆形態	共著
掲載誌名	Applied Physics Letters
掲載区分	国外
出版社・発行元	AIP Publishing LLC
巻・号・頁	79(9),pp.1261-1263
総ページ数	3
著者・共著者	◎T. Akasaka, S. Ando, T. Nishida, H. Saito, and N. Kobayashi
概要	サファイアやSiC基板上に、窒化物半導体薄膜を成長すると、基板と薄膜との間の格子定数と熱膨張係数の差のため、クラックが発生しやすい問題があった。特に、SiC基板上では、概ね膜厚が2ミクロン以上でクラックが発生し、レーザー等のデバイス設計上の制約要因となっている。本研究では、ミクロンサイズの段差を加工したSiC基板を用いることにより、10ミクロン以上の膜厚のクラックフリーなGaNを選択成長することに成功した。