アカサカ　テツヤ   赤坂　哲也    所属   理工学部 総合理工学科    職種   教授
言語種別	英語
発行・発表の年月	2002/12
形態種別	学術雑誌
査読	査読あり
標題	Fabrication of an InGaN multiple-quantum-well laser diode featuring high reflectivity semiconductor/air distributed Bragg reflectors
執筆形態	共著
掲載誌名	Applied Physics Letters
掲載区分	国外
出版社・発行元	AIP Publishing LLC
巻・号・頁	81(25),pp.4703-4705
総ページ数	3
著者・共著者	◎H. Wang, M. Kumagai, T. Tawara, T. Nishida, T. Akasaka, N. Kobayashi, and T. Saitoh
概要	有機金属気相エピタキシ法により炭化珪素基板上にInGaN系青色レーザ多層薄膜構造を結晶成長した後、ドライエッチング装置を用いて半導体／空気周期構造からなる分布ブラッグ反射型(DBR)ミラーを形成した。本DBRミラーの青色領域における反射率は44~62%であり、シンプルな半導体ミラーよりも高かった。また、光励起によるレーザ発振閾値もDBRミラーを形成することにより低下することを実験的に確認した。