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アカサカ テツヤ
赤坂 哲也 所属 理工学部 総合理工学科 職種 教授 |
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| 言語種別 | 英語 |
| 発行・発表の年月 | 2006/04 |
| 形態種別 | 学術雑誌 |
| 査読 | 査読あり |
| 標題 | p-InGaN/n-GaN vertical conducting diodes on n+-SiC substrate for high power electronic device application |
| 執筆形態 | 共著 |
| 掲載誌名 | Japanese Journal of Applied Physics Part1 |
| 掲載区分 | 国内 |
| 出版社・発行元 | The Japan Society of Applied Physics |
| 巻・号・頁 | 45(4B),pp.3387-3390 |
| 総ページ数 | 4 |
| 著者・共著者 | A. Nishikawa, K. Kumakura, T. Akasaka, and T. Makimoto |